韩媒: 中国研发出世界上最快的闪存元件!

5月11日，韩国媒体《每日经济》发表文章称，中国上海复旦大学的研究人员开发出了世界上最快的闪存半导体元件，成功实现了400皮秒（1皮秒=万亿分之一秒）的速度。与普通闪存需要几十微秒（1微秒=百万分之一秒）相比，速度提高了10万倍以上。

复旦大学周鹏教授和刘春森研究员领导的研究团队成功研制“破晓”皮秒闪存元件，这是人类目前掌握的最快半导体电荷存储元件。相关研究成果发表在国际顶尖期刊《自然》上。

目前速度最快的内存是SRAM和DRAM。这是易失性存储器，其缺点是断电时无法存储数据，并且功耗高，制造成本高。另一方面，闪存作为一种非易失性存储器，具有即使断电也能存储数据、能耗低的优点，但缺点是速度慢。研究团队一直专注于开发非易失性存储器。

领导这项研究的复旦大学半导体芯片研究院青年研究员刘春森在复旦大学发布的新闻稿中表示，“我们认为传统理论无法超越速度限制，因此引入了新的研究方法。我们利用2D高斯模型从理论上预测了热载流子注入现象，并在此基础上开发出了世界上最快的‘破晓’闪存。”

继2021年提出初步理论模型后，研究团队去年开发出8纳米通道超高速闪存元件，突破了15纳米硅基闪存的物理极限。

研究团队表示，“我们希望能够在未来五年内将与CMOS技术相结合的半导体芯片推向市场。”